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Mercury Probe Systems (汞探針、水銀探針量 |
Four Dimensions |
CVmap 92 A |
Uses a mercury probe to make contact to the wafer-under-test for C-V(Capacitance-Voltage)(電容-電壓), I-V(Current Voltage)(電流-電壓)。
能在介電薄膜形成後之無圖形晶圓(non patterned wafer)表面做電性量測而無須額外沈積金額外沉積金屬薄膜來製作金氧半導體(Metal-Oxide Semiconductor) 的電容結構,僅需藉由汞探針接觸即可作為電容器之金屬電極。
汞探針量測系統可從事電容-電壓(C-V)
和電流-電壓(I-V) 特性曲線之量測,並有其
他許多量測功能,量測位置可程式化,量測
後所得的數據資料可繪出分析曲線或分佈圖
( waffer mapping ),探針接觸的面積有再現
性。當使用內建的汞探針進行量測時,待測
晶片正面朝下置於探針基座,藉由真空的牽
引將汞由儲存槽向上拉升至基座完成接觸,
汞探針接觸的面積在0.0001至0.8cm平方之間,端視所採用的探針基座而定。
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